ليزر ألياف ضوضاء منخفض للغاية
وصف المنتج
ليزر الألياف ذو التردد الواحد مع ضوضاء منخفضة الكثافة النسبية (RIN) له تطبيقات واسعة في البصريات الكمومية ، وأشعة الليزر ، والليدار ، والاتصالات الضوئية المتماسكة ، والاستشعار البصري عالي الدقة ، والقياس البصري ، والتحليل الطيفي الدقيق.على سبيل المثال ، لا يتطلب الليزر الخاص بحبس الذرات في الشبكة الضوئية طاقة خرج عالية فحسب ، بل يتطلب أيضًا انخفاض RIN لتقليل الرنين بين الشبكة والذرات وضوضاء التردد المنخفض (FN) لتقليل الاهتزاز المكاني ، وهو أمر مهم جدًا بالنسبة لـ عمر الذرات في الشبكة.في مقياس التداخل الذري وتطبيق الساعة الذرية ، يمكن أن يؤدي الليزر عالي الطاقة إلى مزيد من الذرات ومنطقة تفاعل موحدة ونسبة إشارة ضوئية عالية القياس.
تقدم مجموعة Erbium طاقة عالية منخفضة الضوضاء 1064 نانومتر و 1550 نانومتر من الألياف الليفية مع FN منخفضة وبذور RIN منخفضة + مضخم ألياف ضوضاء منخفض كما هو موضح في الشكل 1. في الشكل 2 ، لن يقدم مكبر الصوت ضوضاء التردد الإضافية وتوسيع عرض الخط يقاس ليكون أقل من 1 هرتز.RIN للمكبر منخفض للغاية (RIN <-140 ديسيبل / هرتز (> 5 كيلوهرتز) ، تكامل RIN من 10 هرتز -10 ميجا هرتز <0.03٪).أيضًا ، يمكن أن يمتد الطول الموجي إلى 1020-1120 نانومتر لمكبر الألياف المشبعة بالإيتربيوم و1530-1596 نانومتر لمكبر الألياف Er-doped.مع وحدة مضاعفة التردد الأحادي المستقر ، يمكن أن يمتد الطول الموجي لألياف الليزر منخفض الضوضاء إلى 510-556 نانومتر و 765-798 نانومتر.في عملية مضاعفة التردد ، يتضاعف عرض خط الليزر ، وتزداد ضوضاء الشدة (RIN) بمقدار 6 ديسيبل فقط ، وبالتالي ترث خصائص الضوضاء المنخفضة لضوء التردد الأساسي.
توفر PreciLasers طاقة عالية (تصل إلى 130 وات) ، وضوضاء منخفضة الكثافة ، وعرض خط ضيق وموثوق للغاية 1064 نانومتر حل ليزر الألياف لتطبيق الشبكة الضوئية.
طيف كثافة قدرة الضوضاء النسبية النموذجية (RIN) * 90 واط LN-YFA-1064
دلائل الميزات
●ضوضاء منخفضة الكثافة (-140 ديسيبل / هرتز عند 100 كيلوهرتز)
●عرض خطي ضيق (<10 كيلو هرتز)
●جودة شعاع جيدة (M² <1.2)
●طاقة خرج عالية (تصل إلى 100 واط)
●العملية في ظروف قاسية
●نظام حماية كامل
التطبيقات
●بصريات شعرية
●ملاقط بصرية
●مصائد بصرية
●مضخة الليزر لـ OPO
المؤشرات الفنية
| نموذج | LN-YFA-1064-130 | LN-YFA-1064-100 | LN-YFA-1064-50 |
| الطول الموجي المركزي ، نانومتر | 1064 | 1064 | 1064 |
| عرض خطي ، كيلوهرتز | <10 | <10 | <10 |
| نطاق التوليف ، جيجاهرتز | 10 | 10 | 10 |
| القوة بعد ISO ، W | > 130 | > 100 | > 50 |
| رين | RIN: -140 ديسيبل / هرتز (100 كيلو هرتز) تكامل RMS: <0.0 (10Hz-10 MHz) | RIN: -140 ديسيبل / هرتز (100 كيلو هرتز) تكامل RMS: <0.0 (10Hz-10 MHz) | RIN: -140 ديسيبل / هرتز (100 كيلو هرتز) تكامل RMS: <0.0 (10Hz-10 MHz) |
| جودة الشعاع | TEMₒₒ ، متر مربع <1.15 | TEMₒₒ ، متر مربع <1.15 | TEMₒₒ ، متر مربع <1.15 |
| الاستقطاب | مستقطب خطيًا ،> 300: 1 | مستقطب خطيًا ،> 300: 1 | مستقطب خطيًا ،> 300: 1 |
| استقرار الطاقة PP ، RMS | <0.5٪ @ 3 ساعات | <0.5٪ @ 3 ساعات | <0.5٪ @ 3 ساعات |
| تبريد | تبريد المياه | تبريد المياه | تبريد الهواء / تبريد المياه |
| موصل الإخراج | مساحة (300 * 240 مم²) | مساحة (300 * 240 مم²) | الفيبر |
| 1: يمكن اختيار الطول الموجي من 1020-1112 نانومتر | |||
باستخدام وحدة SHG ذات التجويف الفردي والتجويف الرنان ، يمكن إنشاء ليزر منخفض الضوضاء 532 نانومتر مع طاقة خرج تصل إلى 30 وات ، والتي تم تطبيقها في تطبيق الشبكة الضوئية.
طيف RIN بالليزر النموذجي 10 واط 532 نانومتر
دلائل الميزات
●عرض خطي ضيق <20 كيلو هرتز
●ضوضاء منخفضة الكثافة (-130 ديسيبل / هرتز عند 100 كيلوهرتز)
●طاقة عالية (تصل إلى 30 وات @ LN YFA-SHG)
●جودة شعاع جيدة (M² <1.2)
●استقطاب خطي
●استقرار الطاقة النشط
التطبيقات
●بصريات شعرية
●ملاقط بصرية
●ليزر بمضخة Ti: ليزر Sapphir
المؤشرات الفنية
| نموذج | LN-YFA-D-532-10 (تمرير واحد SHG) | LN-YFA-D-532-30 (تجويف الرنين SHG) |
| الطول الموجي المركزي ، نانومتر | 532 | 532 |
| عرض خطي ، كيلوهرتز | <20 | <20 |
| نطاق التوليف ، جيجاهرتز | 20 | 20 |
| انتاج الطاقة ، وات | 10 | 30 |
| رين | RIN: -130 ديسيبل / هرتز (100 كيلو هرتز) تكامل RMS: <0.05 (10Hz-10 MHz) | RIN: -130 ديسيبل / هرتز (100 كيلو هرتز) تكامل RMS: <0.05 (10Hz-10 MHz) |
| جودة الشعاع | TEMₒₒ ، متر مربع <1.2 | TEMₒₒ ، متر مربع <1.1 |
| الاستقطاب | مستقطب خطيًا ،> 100: 1 | مستقطب خطيًا ،> 100: 1 |
| استقرار الطاقة PP ، RMS | <0.5٪ @ 3 ساعات | <0.5٪ @ 3 ساعات |
| تبريد | تبريد الهواء / تبريد المياه | تبريد الهواء / تبريد المياه |
| 1 يمكن اختيار الطول الموجي المركزي من 510-540 نانومتر | ||
